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Test et avis sur le BSIDE-Testeur de transistor ESR02 Pro
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Points Clés
| Caractéristiques | Spécifications |
|---|---|
| Détection automatique des transistors bipolaires NPN et PNP, des MOSFET à canaux N et P, des JFET, des diodes, des doubles diodes, des thyristors et des triacs | Type: avec clip d’essai/sans clip d’essai (en option) |
| Mesure du facteur d’amplification actuel et tension seuil Base-émetteur de transistors bipolaires | Matériau: ABS |
| Détection de la diode de protection des transistors bipolaires et des MOSFET | Gamme de résistance: 0Ω ~ 50MΩ |
| Mesure de la tension de seuil de porte et valeur de capacité de porte des MOSFET | Résolution de résistance: 0.01Ω |
| La gamme de mesure d’inductance est de 0.01mH à 20H, hors de gamme ou si la résistance plus haut que 2.1KΩ sera montrée à la résistance | Gamme de capacité: 25pF ~ 100mF |
| Le temps de test est d’environ 2 secondes, seule la mesure de la capacité ou de l’inductance peut entraîner une période plus longue | Résolution de capacité: 1pF |
| Le petit conteneur de dispositifs est conception pour placer les composants de petite taille | Gamme d’inductance: 0.01mH ~ 20H |
| Avec une valeur ESR typique de la table de condensateur électrolytique sur le couvercle, il est facile pour l’utilisateur de juger de la qualité du condensateur détecté. Le tableau ESR est pour référence uniquement, utilisez les données du fabricant comme standard | Résolution d’inductance: 0.01mH |
| Gamme de capacité ESR: 2μF ~ 50mF | |
| Résolution ESR de capacité: 0.01Ω | |
| Alimentation électrique: batterie 1*9V 6F22 (NON incluse) | |
| Taille de l’article: 140*82*46mm / 5.51*3.23*1.81in | |
| Taille du paquet: 17.5*10*6cm / 6.89*3.94*2.36in | |
| Poids du colis: 260g / 9.17oz (avec clip), 250g / 8.82oz (sans clip) |
Test et avis sur le BSIDE-Testeur de transistor ESR02 Pro
Description du produit
Le testeur est une conception de petit outil pour l’ingénieur, l’entretien électronique et l’usine. Il est très facile de tester plug-in et SMD dispositif, peut également tester différents types de diodes, triodes, thyristors, MOSFET; capable d’analyser le type de dispositif, la polarité de la broche, le hFE de sortie, la tension de la vanne, la capacité de jonction du PET.
Caractéristiques
- Détection automatique des transistors bipolaires NPN et PNP, des MOSFET à canaux N et P, des JFET, des diodes, des doubles diodes, des thyristors et des triacs
- Mesure du facteur d’amplification actuel et tension seuil Base-émetteur de transistors bipolaires
- Détection de la diode de protection des transistors bipolaires et des MOSFET
- Mesure de la tension de seuil de porte et valeur de capacité de porte des MOSFET
- La gamme de mesure d’inductance est de 0.01mH à 20H, hors de gamme ou si la résistance plus haut que 2.1KΩ sera montrée à la résistance
- Le temps de test est d’environ 2 secondes, seule la mesure de la capacité ou de l’induct
